功能描述：MOSFET P-CH 30V 19.5A 8-SO

制造商：diodes incorporated

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：19.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：16.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1931pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 9A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SO

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

标准包装：1

DMP3037LSS-13

DMP3050LSS

DMP3050LSS-13

DMP3050LSS-13-F

DMP3050LVT-7

DMP3056

DMP3056L-13

DMP3056L-7

DMP3056LDM

DMP3056LDM-7